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Hochfrequenzelektronik

Übersicht

Die Vorlesung einschließlich der Übung hat einen Umfang von 2V + 1Ü. 4,5 Kreditpunkte können durch die erfolgreiche Teilnahme an der mündlichen Prüfung erworben werden. Die Vorlesung vermittelt Grundlagenwissen auf dem Gebiet der Hochfrequenz- bauelemente und -schaltungen. Die Wirkungsweise und Bauformen von HF-Transistoren unter Einbeziehung moderner Heterostrukturen sowie von Dioden werden dargestellt. Exemplarische Schaltungen sowie notwendige Berechnungsverfahren für Verstärker, Mischer, Oszillatoren, Phase Locked Loops sind weiterer Bestandteil der Veranstaltung.

  • Funktionsweise und Entwurf von aktiven Mikrowellenschaltungen: PIN-Dioden, Bipolar-Transistoren, Heterofeldeffekttransistoren (MESFETs, HEMTs) für höchste Frequenzen, Mikromechanische Hochfrequenzkomponenten
  • Funktionsweise und Aspekte des Entwurfs von Analogen Hochfrequenzschaltungen (Verstärkerschaltungen, Mischer, Oszillatoren)
  • Funktionsweise und Aspekte des Entwurfs von Digitalen Hochfrequenzschaltungen (Analog-Digital-Wandler, Phasenregelkreise)
  • Anwendungsspezifische Schaltkreise der Hochfrequenztechnik


Die Unterlagen zur Vorlesung und Übung finden sich im der Vorlesung zugehörigen MOODLE Arbeitsraum. Zur Anmeldung senden Sie bitte eine E-Mail an den Dozenten.

Termine

Vorlesung:
Donnerstag: 12:15 - 13:45 / ET A 3.21
Beginn: 23.04.2020
Dozent: Priv.-Doz. Dr.-Ing. Dirk Schulz

Übung:
Zeit/Ort/Beginn: Nach Vereinbarung
Dozent: Priv.-Doz. Dr.-Ing. Dirk Schulz



Nebeninhalt

Kontakt

apl. Prof. Dr.-Ing. Dirk Schulz

Sprechstunde:

Di. 10:00 Uhr - 12:00 Uhr, Mi. 10:00 Uhr - 12:00 Uhr und nach Vereinbarung